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薄膜电容的焊合要求
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产品介绍
关于薄膜电容的损耗在前几篇文章中小编有跟大家分享到,本文要讲述的焊合中需要注意到什么问题,才能减少损耗的发生。薄膜电容的损耗一般分为介质损耗和金属损耗,介质损耗一般是介质漏电流和介质极化引起的损耗,金属损耗一般是极板与引脚的接触电阻,接触极板电阻,引脚电阻三部分构成要控制薄膜电阻的损耗,就要从上述因素控制,主要也取决与薄膜电容的制程工艺。 焊合工序就是外引出线焊合到电容器芯子端面的金属层上,它也是产生高频损耗的主要部位。焊合后应符合以下要求: ①根据要求选取电容器外引出线,引出线外露长度要符合要求。 ②引出线焊合部位要适当,要焊合到电容器芯子端面高度的23处,引出线偏离中间要小于 0.5mm。 ③引出线应平直、端正、牢固,不能有虚焊和焊糊现象。 ④引出线要能承受1kg以上的拉力。 由此可见薄膜电容的损耗是与工艺大大的相关,因此作为采购者在选择薄膜电容要学会辨别哪些是品质的薄膜电容,售后保障是很重要的。制造的过程是严谨的,选择正规厂家很重要,不要因小失大。如您有技术上的疑问可联系我们,竭力为您解决问题。可以免费提供样品测试! 东莞市智旭电子制造安规电容,陶瓷电容,独石电容,压敏电阻,热敏电阻,更多品质电容供您选择!以上资讯来自东莞市智旭电子有限公司研发部提供,更多资讯请大家移步至网站中智旭资讯中获取。
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