前几篇文章中有讲述到把薄膜电容的自愈性是与制造工艺有关的，本文要跟大家讲述的是外施电压和外界压力的关系会对薄膜电容的自愈发生什么影响吗？一起跟着小编的进度了解下！ 外施电压对薄膜电容自愈性的影响：为了实现自愈须在围统击穿点处有一定的量作用形成去掉金属的固开区城，但如释放的量太多，临近的介质就会遭受破坏而引起新的击穿，如此发展下去就会导致介质反复击穿从而使击穿点处介质烧灼结和自愈失效。可见为了获得足够的自愈晕区并使临近的介质不致受到损伤，自愈放电量须拉制在一定的范围内。自愈区耗散的量是影响自愈性能的一个重要参数。 外界压力关系自愈释放的量与压力有很大关系。自愈点压力提高绝缘容易恢复，形成的自愈晕区半径就小，释放的量相应地也减小。解剖加过试验电压的电容器时可以看到在薄膜电容器外层卷统较松的地方自愈晕区较大，而内层卷绕得较紧，是区较小。一般外层晕区比内层晕区的约大2~10倍。 薄膜电容的自愈是指是在一定的条件下实现的，超过一定的限度薄膜电容器就会丧失自愈性能。在设计与试验薄膜电容器时应尽可能保证条件下进行，即介质击穿时引的脉冲电流小，释放的量小，从而使邻近击穿点处介质的损伤也小从电容器结构上来考虑，小元件极板长度、增加极板宽度对自愈是有利的。 东莞市智旭电子制造安规电容，独石电容，压敏电阻，薄膜电容，热敏电阻，更多品质电容尽在JEC。可以免费提供样品测试！以上资讯来自东莞市智旭电子有限公司研发部提供，更多资讯请大家移步至网站中智旭资讯中获取。