砷化镓衬底晶片 砷化镓（GaAs）是一种半导体材料，具有高频率、高电子迁移率、高输出功率、低噪音以及线性良好等优越特性，广泛应用于光电子和微电子工业。在光电子工业领域应用层面，砷化镓单晶可被用于制作LED（发光二极管）、LD（激光器）、光伏器等；在微电子工业领域应用层面，可被用于制作MESFET（金属半导体场效应管）、HEMT（高电子迁移率晶体管）、HBT（异质结双极晶体管）、IC、微波二极管、Hall器件等。